シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構 Dissolution Mechanism of Void Defect in Silicon Crystal during Heat Treatment

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収録刊行物

  • 真空

    真空 42(3), 485, 1999-03

参考文献:  4件中 1-4件 を表示

  • <no title>

    バーク

    金属相変態速度論入門 6章, 1972

    被引用文献1件

  • <no title>

    LANNOO M.

    Point defects in Semiconductors I 191, 1981

    被引用文献1件

  • <no title>

    ADACHI N.

    Semiconductor Silicon 1998 698

    被引用文献1件

  • <no title>

    WADA K.

    Defects and Properties of Semiconductors 169, 1987

    被引用文献3件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476907
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用 
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