基板バイアスを用いた反応性スパッタリング法による窒化炭素成膜 Deposition of Carbon Nitride Film by Reactive Sputtering with Substrate Bias

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著者

    • 安井 利明 YASUI Toshiaki
    • 大阪大学大学院基礎工学研究科システム人間系専攻 Department of Systems and Human Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University
    • 森本 圭人 MORIMOTO Keito
    • 大阪大学大学院基礎工学研究科システム人間系専攻 Department of Systems and Human Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University
    • 田原 弘一 TAHARA Hirokazu
    • 大阪大学大学院基礎工学研究科システム人間系専攻 Department of Systems and Human Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University
    • 吉川 孝雄 YOSHIKAWA Takao
    • 大阪大学大学院基礎工学研究科システム人間系専攻 Department of Systems and Human Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 492, 1999-03 

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476932
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • データ提供元
    CJP書誌 
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