水冷式分子線成長法によるAlGaAs多層膜の形成 Growth of AlGaAs/GaAs Multi Layers by Molecular Beam Epitaxy with Water Cooling System

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抄録

AlGaAs/GaAs quantum wells and Si-doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) with water cooling system are characterized by photoluminescence and Hall effect measurements. The photoluminescence spectra from 3 nm and 8 nm thick GaAs quantum wells are in good agreement with theoretically calculated values at 4.2 K. Obtained carrier concentrations are 79 × 10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>3</SUP> with the mobilities larger than 2000 cm<SUP>2</SUP>/V s at 300 K, which shows the background impurity concentration less than 1 × 10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>3</SUP>. It is found that Al evaporation is remarkably effective for selective gettering of O<SUP>2</SUP> and H<SUB>2</SUB>O in the system.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(4), 525-529, 1999-04 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  3件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476981
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4750705
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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