光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー Photo-Stimulated Removal of the Chemical-Oxide on Si(100) and Its Application to the Gas-Source Homo-Epitaxy

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  • 放射光

    放射光 8(1), 49-59, 1995-02-20

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キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002496701
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10075706
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09149287
  • データ提供元
    CJP書誌 
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