III-V族磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性 Epitaxial growth and properties of III-V based magnetic semiconductor and ferromagnet/semiconductor heterostructures

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著者

    • 田中 雅明 TANAKA M.
    • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
    • 林 稔晶 HAYASHI T.
    • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
    • 清水 大雅 SHIMIZU H.
    • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
    • 斎藤 要 SAITO K.
    • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
    • 高橋 和彦 TAKAHASHI K.
    • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo

収録刊行物

  • 日本応用磁気学会研究会資料

    日本応用磁気学会研究会資料 109, 13-20, 1999-03-18

参考文献:  26件中 1-26件 を表示

  • <no title>

    江崎玲於奈

    超格子へテロ構造デバイス, 1988

    被引用文献8件

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    権田俊一

    分子線エピタキシー, 1994

    被引用文献3件

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    新庄輝也

    応用物理 61, 1214, 1992

    被引用文献10件

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    藤森啓安

    金属人工格子, 1995

    被引用文献17件

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    田中雅明

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    被引用文献3件

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    SHIMIZU H.

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    YU K. Man

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    被引用文献1件

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    ANDO K.

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    被引用文献13件

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    HAYASHI T.

    Appl. Phys. Lett. 71, 1825, 1997

    被引用文献5件

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    HAYASHI T.

    10th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Cannes, France, 1998

    被引用文献1件

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    林稔晶

    平成11年春季第46回応用物理学会, 東京理科大学野田キャンパス, 29pY-5, 1999

    被引用文献1件

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    田中雅明

    文部省科学研究費特定領域研究「スピン制御半導体」, 1999

    被引用文献1件

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    TANAKA M.

    Appl. Phys. Lett. 74, 64, 1999

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    TANAKA M.

    3rd Int. Symp on Metallic Multilayers(MML'98/EMRS), Vancoucer, 1998

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    TANAKA M.

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    TANAKA M.

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    TANAKA M.

    4th Symp. on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors, 4-7, 1998

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    TANAKA M.

    平成11年春季第46回応用物理学会, 29pY-7, 1999

    被引用文献1件

  • Properties of III-V Based Ferromagnetic Semiconductor(Ga_<1-x>Mn_x)As:As Pressure Dependence

    Shimizu H. , Hayashi T. , Nishinaga T. , TANAKA M.

    日本応用磁気学会誌 00023(00001), 96-98, 1999-01-20

    CiNii 外部リンク 参考文献14件 被引用文献1件

  • エピタキシャル強磁性金属薄膜/半導体の成長・構造・機能

    田中 雅明

    日本応用磁気学会誌 00020(00006), 950-959, 1996-12

    参考文献58件 被引用文献5件

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    TANAKA M.

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    HAYASHI T.

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    AKEURA K.

    J. Appl. Phys. 79, 4957, 1996

    DOI 被引用文献9件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002521945
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00351217
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13407562
  • データ提供元
    CJP書誌 
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