LSI中の微細Al配線のエレクトロマイグレーションによる劣化機構 An Open Circuit Failure Mechanism for Fine Aluminum Interconnects in LSIs

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著者

    • 金子 尚史 KANEKO Hisashi
    • 株式会社東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所プロセス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, ULSI Process Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
    • 川ノ上 孝 KAWANOUE Takashi
    • 株式会社東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所プロセス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, ULSI Process Engineering Laboratory, Toshiba Corporation

収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報  

    まてりあ : 日本金属学会会報 36(4), 306-310, 1997-04 

    日本金属学会

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002541602
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13402625
  • NDL 記事登録ID
    4194398
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-313
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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