電子デバイス用基板材料としてのSiC単結晶作製技術の開発 Development of Single-Crystalline SiC Boule Fabrication Technology as Substrate Material for Electronic Devices

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収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報  

    まてりあ : 日本金属学会会報 36(4), 370-372, 1997-04 

    日本金属学会

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002541784
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    NOT
  • ISSN
    13402625
  • NDL 記事登録ID
    4194383
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-313
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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