溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発 Development of Solution Source Chemical Vapor Deposition Technology for High-dielectric Stacked Capacitors

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  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 37(6), 528-530, 1998-06

    日本金属学会

参考文献:  10件中 1-10件 を表示

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    松野繁

    第9回強誘電体応用会議講演予稿集 111, 1992

    被引用文献1件

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    木ノ内伸一

    第54回応用物理学会学術講演会予稿集 442, 1993

    被引用文献1件

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    NISHIOKA Y.

    IEDM Tech. Digest 903, 1995

    被引用文献1件

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    YUUKI A.

    IEDM Tech. Digest 115, 1995

    被引用文献1件

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    KAWAHARA T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5077, 1995

    被引用文献15件

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    内川英興

    特開平5-299365

    被引用文献1件

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    内川英興

    米国特許5372850

    被引用文献1件

  • <no title>

    内川英興

    特開平6-158328

    被引用文献1件

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    内川英興

    米国特許5555154

    被引用文献1件

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    川原孝昭

    三菱電機技報 71, 337, 1997

    被引用文献1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002545449
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    NOT
  • ISSN
    13402625
  • NDL 記事登録ID
    4512251
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-313
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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