III. 半導体, セラミックスの欠陥構造 半導体中の転位運動素過程の原子レベル直接観察 Atomic Level Observations of the Fundamental Processes of Dislocation Motion in Semiconductors

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  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 37(12), 988, 1998-12-20

    公益社団法人 日本金属学会

参考文献:  3件中 1-3件 を表示

  • <no title>

    ALEXANDER H.

    Phil. Mag. A 53, 627, 1986

    被引用文献2件

  • <no title>

    KANEMATSU E.

    Mater. Trans., JIM 37, 273, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    INOUE M.

    J. Appl. Phys. 83, 1953, 1998

    被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002546684
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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