FE-SEMによるパワー半導体デバイスの欠陥形態観察

• 横山 拓也

  富士電機株式会社松本工場

• 立町 寛児

  株式会社富士電機総合研究所

書誌事項

タイトル別名

• Cross-Sectional Observation of Defects in Power Semiconductor Device by means of FE-SEM

収録刊行物

• まてりあ

  まてりあ 37 (12), 996-996, 1998

  公益社団法人 日本金属学会

キーワード

• power device
• high-resolution field emission-scanning electron microscopy
• FE-SEM
• multilayer
• resistive field plate

詳細情報

• CRID: 1390282679056244224
• NII論文ID: 10002546715
• NII書誌ID: AN10433227
• DOI: 10.2320/materia.37.996
• ISSN: 18845843
• ISSN: 13402625
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/materia1994/37/12/37_12_996/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles