V. デバイス, デバイス材料 FE-SEMによるパワー半導体デバイスの欠陥形態観察 Cross-Sectional Observation of Defects in Power Semiconductor Device of means of FE-SEM

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収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 37(12), 996, 1998-12-20

    公益社団法人 日本金属学会

参考文献:  1件中 1-1件 を表示

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    SAITOH R.

    ISPSD 206, 1992

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002546715
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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