VI. 半導体人工格子, 量子ドット 半導体へテロエピタキシャル界面構造の原子スケール観察 High-resolution Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Hetero-epitaxial Interfacial Structures

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  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 37(12), 1003, 1998-12-20

参考文献:  3件中 1-3件 を表示

  • <no title>

    IKARASHI N.

    JPN. J. Appl. Phys. 33, 1228, 1994

    被引用文献2件

  • <no title>

    IKARASHI N.

    Phys. Rev. Lett. 72, 3198, 1994

    被引用文献3件

  • <no title>

    IKARASHI N.

    Phys.Rev.B 51, 14786, 1995

    DOI 被引用文献4件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002546733
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌 
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