MOS-FETの微細化に関わるイオン注入技術 Ion Implantation Technology for Future High-Density and High-Performance MOS-FETs

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収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 38(2), 111-114, 1999-02-20

    日本金属学会

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

  • <no title>

    The national technology roadmap for semiconductor needs 46, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    TAUR Y.

    IEDM Technical Digest 901, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    PFIESTER James R.

    IEEE Trans. ED 37, 1842, 1990

    被引用文献1件

  • <no title>

    SHISHIGUCHI S.

    VLSI tech. Symp. 89, 1997

    被引用文献2件

  • <no title>

    TAKEUCHI D.

    Nucl. Instrum. And Meth. B 121, 345, 1997

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002547132
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13402625
  • NDL 記事登録ID
    4788649
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-313
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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