半導体における第一原理計算からの物質設計 Materials Design from the First Principles Calculation in Semiconductors

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  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 38(2), 134-143, 1999-02-20

参考文献:  46件中 1-46件 を表示

  • 電子状態計算と物質設計システム

    吉田博

    固体物理<計算物理>特集号 24, 277, 1989

    被引用文献2件

  • <no title>

    吉田博

    応用物理 58, 1303, 1989

    被引用文献3件

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    HOHENBERG P.

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    KOHN W.

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    STAEBLER D. L.

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    YAMASAKI S.

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    MATSUMURA T.

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  • Relaxations of Excited States and Photo-Induced Structural Phase Transitions

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    水素化アモルファスカーボンを用いた単結晶ダイヤモンドの合成法

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    SATO F.

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    YAMAMOTO T.

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    低抵抗CuInS_2の製造法

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    YAMAMOTO T.

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    低抵抗p型GaNの結晶の製造方法

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    YAMAMOTO T.

    Gallium Nitride and Related Materials 468, 105, 1997

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    YAMAMOTO T.

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    KATAYAMA-YOSHIDA H.

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    高濃度にドーピングしたZnSeの結晶の製造方法

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    YAMAMOTO T.

    Materials Science Forum 258-263, 1185, 1997

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    Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices II 510, 1998

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    YAMAMOTO T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, L910, 1998

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    KATAYAMA-YOSHIDA H.

    Proceedings of the International Conference on Solid State Devices and Materials 62, 1997

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    KATAYAMA-YOSHIDA H.

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    ZHANG S. B.

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    JUNG H. D.

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    AMANO H.

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    AMANO H.

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    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139, 1992

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    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258, 1992

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    低抵抗p型AlNの製造法

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    SEGAWA Y.

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    山本哲也

    第59回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集, 15pYM-12, 1998

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    低抵抗p型ZnOの製造方法

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    KOIZUMI S.

    Appl. Phys. Lett. 71, 1065, 1997

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    NISHIMATSU T.

    The Proceedings of the 5-th NIRIM International Symposium on Advanced Materials, 253-256, 1998

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    低抵抗n型ダイヤモンドの製造方法

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    NISHIMORI T.

    Appl. Phys. Lett. 71, 945, 1997

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    抵抗が低いn型又はp型金属シリコンの製造方法

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    ORITA N.

    J. Non-Cryst. Solids 198-200, 347, 1996

    DOI 被引用文献5件

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    YAMAMOTO T.

    Solar Energy Materials and Solar Cells 49, 391-397, 1997

    被引用文献2件

被引用文献:  2件中 1-2件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002547212
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用 
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