非経験的分子軌道法に支援されたRRKM理論によるSiH_4(g)→SiH_3(g)+H(g)反応の圧力依存性を伴った速度定数の予測 Prediction of Pressure Dependent Rate Constant for the Reaction, SiH_4(g)→SiH_3(g)+H(g), Using RRKM Theory Aided by Ab-Initio MO

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著者

    • 齋藤 永宏 SAITO Nagahiro
    • 早稲田大学理工学部物質開発工学科, 早稲田大学大学院 Department of Material Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University, Graduated Student, Wasada University
    • 廣田 光仁 HIROTA Mitsuhito
    • 早稲田大学理工学部物質開発工学科, 早稲田大学大学院 Department of Material Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University, Graduated Student, Wasada University
    • 石崎 貴裕 [他] ISHIZAKI Takahiro
    • 早稲田大学理工学部物質開発工学科, 早稲田大学大学院 Department of Material Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University, Graduated Student, Wasada University
    • 不破 章雄 FUWA Akio
    • 早稲田大学理工学部物質開発工学科 Department of Material Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University

収録刊行物

  • 日本金屬學會誌  

    日本金屬學會誌 63(4), 520-526, 1999-04 

    日本金属学会

参考文献:  29件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002549848
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00062446
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    00214876
  • NDL 記事登録ID
    4705611
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-314
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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