2. 吸収端近傍のX線を使って─(2)特定の元素に着目して─ 多波長異常分散法で半導体界面構造をみる Multiple Wavelength Dispersion Analysis of Semiconductor Interface Structure

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抄録

The multiple wavelength anomalous dispersion (MAD), a powerful direct method, has been modified and applied for the first time to the interface structural analysis. This allows us to separate heavy and light atoms, and so deduce the structure.

収録刊行物

  • 日本結晶学会誌  

    日本結晶学会誌 39(1), 45-48, 1997-02-28 

    The Crystallographic Society of Japan

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002589129
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00188364
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03694585
  • NDL 記事登録ID
    4159565
  • NDL 雑誌分類
    ZM46(科学技術--地球科学--岩石・鉱物・鉱床)
  • NDL 請求記号
    Z15-138
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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