3. 微少量・高精度・極限に迫る 全反射を利用して超薄膜を調べる Characterization of Thin Films with X-ray Total Reflection Technology

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抄録

Characterization of thin films with x-ray total reflection is introduced. Titanium silicite thin films are studied by grazing incidence x-ray diffraction. The epitaxial C49-TiSi<SUB>2</SUB> grains are formed on heavily BF<SUB>2</SUB> ion implanted Si (001) substrate after low temperature annealing, and they suppress the phase transition from C49 to C54 during high temperature annealing. SiO<SUB>2</SUB> thin films are investigated by x-ray reflectivity analysis. Thermal oxides have always the high density interface layer of -1 nm in thickness. Extremely thin native oxides on Si is also characterized in a function of chemical cleaning solutions.

収録刊行物

  • 日本結晶学会誌  

    日本結晶学会誌 39(1), 89-93, 1997-02-28 

    The Crystallographic Society of Japan

参考文献:  18件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002589303
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00188364
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03694585
  • NDL 記事登録ID
    4159574
  • NDL 雑誌分類
    ZM46(科学技術--地球科学--岩石・鉱物・鉱床)
  • NDL 請求記号
    Z15-138
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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