3. 微少量・高精度・極限に迫る トポグラフィでSi結晶の欠陥を観る Topographic Observations of Lattice Defects in Silicon Crystals

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抄録

Recent studies on lattice defects in silicon single crystals using synchrotron radiation topography are reviewed. Two types of methods are described, the plane wave topography using highly collimated x-rays with an angular divergence of less than 0.01 arcsec and the Lang topography using high energy x-rays of 60keV. Experiments of imaging of grown-in microdefects in FZ- and CZ-silicon crystals and growth striations in MCZ-Si crystals show that these methods are highly sensitive to minute lattice strain of the order of 10<SUP>-7</SUP> which could not be measured by the conventional x-ray topograpy.

収録刊行物

  • 日本結晶学会誌  

    日本結晶学会誌 39(1), 110-114, 1997-02-28 

    The Crystallographic Society of Japan

参考文献:  17件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002589387
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00188364
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03694585
  • NDL 記事登録ID
    4159578
  • NDL 雑誌分類
    ZM46(科学技術--地球科学--岩石・鉱物・鉱床)
  • NDL 請求記号
    Z15-138
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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