窒化ガリウム系結晶の開発 -その歴史と展望- Development of Gallium Nitride Based Crystals-Present Status and Future Prospects

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抄録

Recent development of gallium nitride (GaN) based crystals was reviewed. Use of low temperature deposited buffer layer is essential for the growth of device-quality GaN on highly-mismatched substrate.

収録刊行物

  • 日本結晶学会誌  

    日本結晶学会誌 39(2), 202-204, 1997-04-28 

    The Crystallographic Society of Japan

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002589624
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00188364
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    03694585
  • NDL 記事登録ID
    4203630
  • NDL 雑誌分類
    ZM46(科学技術--地球科学--岩石・鉱物・鉱床)
  • NDL 請求記号
    Z15-138
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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