CZ-Si中Grown-in欠陥の透過型電子顕微鏡による観察技術 The observation technique with TEM for grown-in defects in CZ-Si

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 電子顕微鏡

    電子顕微鏡 34(1), 61-64, 1999-03-31

    The Japanese Society of Microscopy

参考文献:  16件中 1-16件 を表示

  • <no title>

    FURUMURA Y.

    Proc. 2nd Int. Symp. Advanced Science & Tech. of Si Materials, Nov., 418-424, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    UMENO S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 32, L699, 1993

    被引用文献18件

  • <no title>

    RYUTA J.

    Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1947, 1990

    被引用文献69件

  • <no title>

    逸見

    応用物理 65, 1164-1165, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    鷹岡昭夫

    応用物理 63, 382-385, 1994

    被引用文献1件

  • <no title>

    UEKI T.

    1996 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Yokohama, 862-863, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    UEKI T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, L771-L773, 1998

    被引用文献4件

  • <no title>

    ITSUMI M.

    Appl. Phys. Lett. 40, 496-498, 1982

    被引用文献3件

  • <no title>

    YAMAGISHI H.

    Semicond.Sci.Technol. 7, A135, 1992

    被引用文献33件

  • <no title>

    ITSUMI M.

    J. Appl. Phys. 78, 5984-5988, 1995

    被引用文献9件

  • <no title>

    KATO M.

    J. Appl. Phys. 35, 5597-5601, 1996

    DOI 被引用文献1件

  • <no title>

    NISHIMURA M.

    J.Electrochem.Soc. 143, L243, 1996

    被引用文献10件

  • <no title>

    UEKI T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1667-1670, 1998

    DOI 被引用文献1件

  • <no title>

    UEKI T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 36, 1781-1785, 1997

    DOI 被引用文献1件

  • <no title>

    TEMPELHOFF K.

    Phys. Status. Solidi(a) 56, 213-223, 1979

    被引用文献1件

  • <no title>

    YANASE Y.

    Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6200-6203, 1997

    DOI 被引用文献1件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002642556
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00145000
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    04170326
  • NDL 記事登録ID
    4694099
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-896
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
ページトップへ