High Pressure Structural Phase Transition in AgGaTe_2

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抄録

The high pressure X-ray diffraction pattern of AgGaTe<SUB>2</SUB> chalcopyrite semiconductor has been measured up to 18GPa. It is found that the first phase transition occurred at 3. 05±0. 05GPa and the chalcopyrite phase persists up to 5. 4GPa. The Rietveld analysis for the X-ray pattern recorded at 5. 4GPa shows the coexistence of the disordered tetragonal structure (P4) and the disordered orthorhombic structure (Cmcm).

収録刊行物

  • 高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology  

    高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology 7, 327-328, 1998 

    The Japan Society of High Pressure Science and Technology

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002689972
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10452913
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0917639X
  • NDL 記事登録ID
    4493919
  • NDL 雑誌分類
    ZP1(科学技術--化学・化学工業)
  • NDL 請求記号
    Z17-1589
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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