Amorphization from the Quenched High-Pressure Phase in III-V and II-VI Compounds

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

The temperature dependences of phase transitions in GaSb, AlSb, GaAs, GaP, InAs, InP, ZnSe, and CdTe are studied by X-ray diffraction measurements under pressure up to 30 GPa at temperatures of 90-300 K. The phase transitions depend on paths in a pressure-temperature phase diagram. The structure of the recovered phase after decompression depends on the ionicity in bonding: amorphous for small ionicity, the stable zincblende structure for large ionicity, and microcrystalline for moderate ionicity. These results are discussed by using a configuration-coordinate model.

収録刊行物

  • 高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology  

    高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology 7, 353-355, 1998 

    The Japan Society of High Pressure Science and Technology

参考文献:  8件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002690121
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10452913
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0917639X
  • NDL 記事登録ID
    4493927
  • NDL 雑誌分類
    ZP1(科学技術--化学・化学工業)
  • NDL 請求記号
    Z17-1589
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ