On the Non-existence of Diatomic β-Tin as a High-pressure Structure and Structural Systematics of the II-VI, III-V and Group IV Semiconductors

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抄録

Many high-pressure phases of the III-V and II-VI semiconductors have been believed to have the diatomic equivalent of the tetragonal β-tin structure. Recent work has shown this to be incorrect in several cases. It is now shown that the same is strue of all the remaining possibilities - AlSb, HgSe, InP and GaP. The phases concerned all have orthorhombic structures of the Cmcm type. The apparent non-existence of the β-tin structure has important implications for the structural systematics.

収録刊行物

  • 高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology  

    高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology 7, 379-381, 1998 

    The Japan Society of High Pressure Science and Technology

参考文献:  19件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002690206
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10452913
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0917639X
  • NDL 記事登録ID
    4493934
  • NDL 雑誌分類
    ZP1(科学技術--化学・化学工業)
  • NDL 請求記号
    Z17-1589
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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