Melting Behavior of β-SiC at High Pressure

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抄録

The melting behavior of β-SiC with diamond structure was investigated under high pressures up to about 10 GPa using a flash-heating device. The peritectic temperature, at which the SiC decomposes into two phases of carbon saturated liquid Si and solid carbon (graphite) by a peritectic reaction, increases with pressure and the formation temperature of one liquid phase (l-SiC) also tends to increase with pressure. The solubility of carbon in liquid Si reach 50% at about 10 GPa and β-SiC melts directly into l-SiC.

収録刊行物

  • 高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology  

    高圧力の科学と技術 = The Review of high pressure science and technology 7, 1037-1039, 1998 

    The Japan Society of High Pressure Science and Technology

参考文献:  10件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002692729
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10452913
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0917639X
  • NDL 記事登録ID
    4494139
  • NDL 雑誌分類
    ZP1(科学技術--化学・化学工業)
  • NDL 請求記号
    Z17-1589
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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