III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長とその伝導特性 Epitaxial growth and transport properties of a new III-V diluted magnetic semiconductor : GaMnAs

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著者

    • 田中 雅明 TANAKA M.
    • 東京大学工学系研究科電子工学専攻, 新技術事業団 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo, Research Development Corporation of Japan
    • 林 稔晶 HAYASHI T.
    • 東京大学工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
    • 西永 頌 NISHINAGA T.
    • 東京大学工学系研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo

収録刊行物

  • 日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan  

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 20, 115, 1996-09-01 

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002729033
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10269644
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    OTR
  • データ提供元
    CJP書誌 
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