半導体高密度接続バンプの形状制御 Shape Evolution of High Density Interconnection Bumps

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抄録

高密度接続バンプの形状はカソードの電流密度分布に支配される.分布を実験と数値解析とで検討した.<BR>分極曲線から, 線形, Tafel, 拡散律速の電位領域に分類した.線形領域では, 表面過電圧が支配的なため電流密度分布は均一となるが, 成長速度が遅い.Tafel領域では, 電解液の抵抗が支配的となり分布が不均一となる.キャビテイ巾が100μm以上と大きい場合は周辺部が凸となり, 小さい場合は分布が均一で中央部が凸となる.<BR>拡散律速領域では, 剥離渦が電流密度分布を支配する.剥離渦はカソード上への物質移動の抵抗となる.キャビテイ巾が100μmで<I>Pe</I>数が1410, 7311と増大すると, 上流部コーナーでは剥離渦が下流側へと成長し, 上流部の電流密度分布に窪みを生じた.また下流部コーナーでは剥離渦が小さくなり, 電流密度分布が増大する.一方, キャビテイ巾が30μmで<I>Pe</I>数が44,500では, 大きな単一渦を発生し, 単一な盛り上がりを中央に有する分布となる.

Bump shapes are determined by the current distributions of the cathodes. These current distributions are discussed both by experiments and numerical computations.<BR>The potentials are classified by linear, Tafel and diffusion control regions. At the linear region, the current distributions are uniform because of the large surface over potential. The growth rates are slow.<BR>At the Tafel region, the distributions are not uniform because of large ohmic resistance. The cavity edges show hump for larger cavity widths of more than 100 μm. For smaller widths, the current distributions become uniform and the hump forms at the centers.<BR>At the diffusion controlled region, the current distribution is determined by the vortices. The vortices act as the resistance of mass transfer to the cathode. For the 100 μm cavity width, the vortices grow at the up stream corner with high Peclet numbers of 1410 and 7311. The current distributions show hollows at the up stream corners. The vortices become smaller at down stream corners. These smaller vortices cause the increase in current distributions at down stream. For 30 μm cavity width, on the other hand, a large single vortex forms for the higher Peclet number of 44500 and a single hump in current distribution is achieved.

収録刊行物

  • 化学工学論文集  

    化学工学論文集 23(6), 780-788, 1997-11-20 

    The Society of Chemical Engineers, Japan

参考文献:  35件

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被引用文献:  2件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002768202
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00037234
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0386216X
  • NDL 記事登録ID
    4334849
  • NDL 雑誌分類
    ZP5(科学技術--化学・化学工業--化学工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-725
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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