MOCVD法によるBi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温形成とその電気的特性 Low Temperature Growth of Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films by MOCVD and their Electrical Properties

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収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 117(3), 233-237, 1997-03 

    電気学会

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002809577
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    4149760
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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