サイリスタのターンオン時の熱挙動 Thermal Behavior in Thyristors

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抄録

Recently, the power semiconductor devices for higher voltage and higher current capability are developed. The thermal behavior analysis for improvement of these devices is very important.<br>There is an apparent hot spot in semiconductor devices, particularly when current is concentrated in a small area of semiconductor device.<br>This paper describes important information for the thermal behavior analysis of thyristors under operation.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of Industry Applications Society  

    電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of Industry Applications Society 119(3), 390-398, 1999-03 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002817892
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012320
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09136339
  • NDL 記事登録ID
    4663886
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-1608
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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