Tetraethoxysilaneを用いたプラズマCVD法によって堆積したSiO_2膜の膜中不純物 Impurities in SiO_2 Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using Tetraethoxysilane

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society

    電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society 117(1), 72-76, 1997-01

    電気学会

参考文献:  12件中 1-12件 を表示

  • <no title>

    MUROYAMA Masakazu

    Jpn. J. Appl. Phys. 32, 6122, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    TOCHITANI G.

    J. Vac. Sci. Technol. A 11, 400, 1993

    被引用文献5件

  • <no title>

    SATAKE Tetsuya

    Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3339, 1994

    被引用文献2件

  • <no title>

    CHAO Tien Sheng

    Jpn. J. Appl. Phys. 34, 2370, 1995

    被引用文献1件

  • <no title>

    STOUT P. J.

    J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2562, 1993

    被引用文献3件

  • <no title>

    前田直宏

    平成6年春季応物予稿集 715, 1994

    被引用文献1件

  • <no title>

    沖村邦雄

    電気学会プラズマ研究会資料 EP-94-43, 93, 1994

    被引用文献1件

  • <no title>

    前田直宏

    真空 38(4), 455, 1995

    被引用文献2件

  • <no title>

    WIESE W. L.

    Atomic Transition Probabilities 2, 1969

    被引用文献2件

  • <no title>

    PEARSE R. W. B.

    The Identification of Molecular Spectora, 1976

    被引用文献1件

  • <no title>

    LI S. C.

    J. Appl Phys. 72(9), 4214, 1992

    DOI 被引用文献1件

  • <no title>

    CLELAND Todd A.

    J. Electrochem. Soc. 136(10), 3103, 1989

    DOI 被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002821077
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10136312
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854205
  • NDL 記事登録ID
    4105806
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-793
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
ページトップへ