ヘリコンスパッタ分子線源を用いたMBEによる単結晶SiC平滑面の創成に関する研究(第1報) -炭素源にC_2H_2を用いた場合-

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  • CRID
    1573387448867014144
  • NII論文ID
    10002874797
  • NII書誌ID
    AN1018673X
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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