ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レーザー

• 梅野 正義

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 長谷川 義晃

  松下電器産業株式会社

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Semiconductor Laser on Si Substrate Using Heteroepitaxial Growth Technique

収録刊行物

• レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan

  レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan 228 7-12, 1996-05-22

詳細情報

• CRID: 1571135649053322368
• NII論文ID: 10002878879
• NII書誌ID: AA11604414
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles