電荷移動錯体を用いた新型電界効果トランジスタの試作

• 工藤 一浩

  千葉大学

• 飯塚 正明

  千葉大学

• 国吉 繁一

  千葉大学

• 田中 國昭

  千葉大学

書誌事項

タイトル別名

• Fabrication of New Type Field Effect Transistors Using Charge Transfer Complex Layers
• デンカ イドウ サクタイ オ モチイタ シンガタ デンカイ コウカ トランジス

抄録

We fabricated field effect transistors (FETs) using donor (TTF, TMTSF) and acceptor (TCNQ) molecules, and we investigated the change of conductivity in the charge transfer (CT) complex layer by applying gate voltages. Several types of FETs having TTF/TCNQ and TMTSF/TCNQ layered structures were examined. The stacked-layer FET showed a large transconductance compared with a single-layer FET. The experimental results demonstrate that the CT complex layer formed between donor and acceptor films mainly works as a conduction channel. Furthermore, the change in the degree of charge transfer corresponding to conductivity change was confirmed by infrared absorption spectra.

収録刊行物

• 電気学会論文誌．　Ａ

  電気学会論文誌．　Ａ 118 (12), 1440-1445, 1998

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• 電荷移動錯体
• 有機薄膜
• 薄膜トランジスタ
• 金属-絶縁体転移

詳細情報

• CRID: 1390001204598335488
• NII論文ID: 130006838279
• NII論文ID: 10004441428
• NII書誌ID: AN10136312
• DOI: 10.1541/ieejfms1990.118.12_1440
• ISSN: 13475533
• ISSN: 03854205
• ISSN: http://id.crossref.org/issn/03854205
• NDL書誌ID: 4612132
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4612132
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms1990/118/12/118_12_1440/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可