PLD法により作製したPZT/YBCO/MgOヘテロ構造薄膜の分極反転機構

• 山里 将朗

  熊本大

• Grishin Alexander M.

  スウェーデン王立工科大学

• 山形 幸彦

  熊本大

• 池上 知顯

  熊本大

• 蛯原 健治

  熊本大

書誌事項

タイトル別名

• Polarization reversal switching kinetics of pulsed laser deposited PZT/YBCO/MgO heterostructure thin films.
• PLDホウ ニ ヨリ サクセイ シタ PZT YBCO MgO ヘテロ コウゾウ ハクマク ノ ブンキョク ハンテン キコウ

抄録

We have fabricated epitaxial PbZr_0.52Ti_0.48O, (PZT)/YBa₂Cu₃O_7-x (YBCO) films (ferroelectric/superconductor/heterostructures) on the single-crystal MgO substrates by a KrF pulsed laser deposition technique. The heterostructure has high electric resistivity p (at 150 kV/cm) of 4×10¹¹ Ω•cm, dielectric permittivity of 820 and loss tan δ of 0.04, remnant polarization of 32μC/cm² and coercive field of 41kV/cm. Film thickness dependence of the coercive electric field over the thickness range 0.04-1.2μm is in close agreement with prolate ellipsoid nucleus model proposed by Kay and Dunn. Switching property of the fabricated epitaxial PZT thin films corresponds to ferroelectric needle-like nucleus growth.

収録刊行物

• 電気学会論文誌．　Ａ

  電気学会論文誌．　Ａ 119 (1), 118-123, 1999

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• レーザーアブレーション法
• 強誘電体
• 残留分極
• スイッチング特性

詳細情報

• CRID: 1390001204598027648
• NII論文ID: 130006838075
• NII論文ID: 10004441769
• NII書誌ID: AN10136312
• DOI: 10.1541/ieejfms1990.119.1_118
• ISSN: 13475533
• ISSN: 03854205
• NDL書誌ID: 971660
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I971660
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms1990/119/1/119_1_118/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可