プラズマCVD堆積SiO_2薄膜の絶縁破壊電界におよぼす フッ素添加の効果 Effects of Fluorine Doping on the Dielectric Strength in SiO_2 Films Formed by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition

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  • 電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society

    電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society 119(5), 658-664, 1999-05-01

    電気学会

参考文献:  11件中 1-11件 を表示

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    DOI 被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004442822
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10136312
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854205
  • NDL 記事登録ID
    4716221
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-793
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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