CZシリコン結晶中のGrown-in欠陥の電子顕微鏡法による解析 Analysis of grown-in defects in CZSi crystals using TEM

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 電子顕微鏡

    電子顕微鏡 34(3), 162-167, 1999-11-30

    日本電子顕微鏡学会

参考文献:  12件中 1-12件 を表示

  • <no title>

    HASEBE M.

    Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1999, 1989

    被引用文献14件

  • <no title>

    YAMAUCHI H.

    Jpn.J.Appl.Phys. 31, L439, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    SADAMITSU S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3675, 1993

    被引用文献32件

  • <no title>

    YAMAGISHI H.

    Semicon.Sci.Tecnol. 7, A135, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    RYUTA J.

    Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1947, 1990

    被引用文献69件

  • <no title>

    北村貴文

    第43回応用物理関係連合講演会予稿集 184, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    UMENO S.

    Jpn.J.Appl.Phys. 36, L591, 1997

    被引用文献4件

  • <no title>

    KATO M.

    Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5597, 1996

    被引用文献38件

  • <no title>

    YANASE Y.

    Jpn.J.Appl.Phys. 36, 6200, 1997

    被引用文献3件

  • <no title>

    中居克彦

    第45回応用物理関係連合講演会予稿集 415, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHIKAWA H.

    Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6595, 1997

    被引用文献11件

  • <no title>

    横山隆

    第59回応用物理関係連合講演会予稿集 362, 1998

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004539756
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00145000
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    04170326
  • NDL 記事登録ID
    4932518
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-896
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
ページトップへ