Semiconductor nano-technology by electron microscopy. Dislocation structure in laterally overgrown GaN films.

• Sakai Akira

  名古屋大学大学院工学研究科

Bibliographic Information

Other Title

• 半導体ナノテクノロジーと電子顕微鏡　　選択横方向成長によって形成されたＧａＮ膜中の転位構造
• センタク ヨコ ホウコウ セイチョウ ニ ヨッテ ケイセイ サレタ GaN マク チュウ ノ テンイ コウゾウ

Journal

• Denshi kenbikyo

  Denshi kenbikyo 34 (3), 197-199, 1999

  The Japanese Society of Microscopy

Keywords

• GaN
• 選択横方向成長
• 転位
• 欠陥
• エビタキシャル成長

Details

• CRID: 1390282679710777984
• NII Article ID: 10004539859
• NII Book ID: AN00153086
• DOI: 10.11410/kenbikyo1950.34.197
• NDL BIB ID: 4932633
• ISSN: 04170326
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4932633
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles