zカットLiNbO_3基板上へのZnOスパッタ薄膜の形成 Deposition of ZnO Thin Films on z-cut LiNbO_3 Substrates Using Sputtering Technique

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著者

    • 山本 英樹 YAMAMOTO Hideki
    • 米子工業高等専門学校電子制御工学科 Department of Electronic Control Engineering, Yonago National College of Technology
    • 雑賀 憲昭 SAIGA Noriaki
    • 米子工業高等専門学校電子制御工学科 Department of Electronic Control Engineering, Yonago National College of Technology
    • 西守 克己 NISHIMORI Katsumi
    • 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University

抄録

We have reported formation of ZnO thin films deposited on z-cut LiNbO<SUB>3</SUB> substrates using RF-sputtering technique. The substrate temperatures during deposition were changed from 300 to 703 K in various oxygen-argon atmospheres. ZnO (002) peak intensity depending on gas flow rate of oxygen to argon, substrate temperature and anneal temperature were observed. The film showed the crystalline growth highly oriented at [002] direction, when the film on z-cut LiNbO<SUB>3</SUB> substrate was deposited at 603 K in Ar (80%) +O<SUB>2</SUB> (20%) gas or annealed at 890 K in argon atmosphere.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(3), 193-196, 2000-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004561503
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5360760
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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