シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度 Equilibrium Concentration of Point Defects under Various Stages in Growing Silicon Crystal

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抄録

Equilibrium concentration of point defects under various stages in growing silicon crystal is theoretically examined. Formulas of concentration of point defects corresponding to solid-liquid interface, early cooling stage and including secondary defects are proposed. It is suggested that equilibrium concentration is not unique and that previous consideration is not applied for actual crystal growth.

収録刊行物

  • 真空

    真空 43(3), 205-208, 2000-03-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

  • <no title>

    棚橋克人

    真空 40, 238, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    棚橋克人

    真空 41, 104, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    DAMASK A. C.

    Point Defects in Metals, 1963

    被引用文献3件

  • <no title>

    GOESELE U.

    Proceedings of the Kazusa Academia Park Forum on The Science and Technology of Silicon Materials 97, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    NAKAMURA K.

    Electrochemical Society Proceedings 8-13, 41, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    HULL D.

    Introduction to Dislocation, 1975

    被引用文献1件

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    KOBAYASHI S.

    J.Crystal Growth 174, 163, 1997

    被引用文献1件

  • シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構

    棚橋 克人 , 菊池 通真 , 井上 直久

    真空 42(3), 485, 1999-03

    参考文献4件 被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004561531
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5360832
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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