六方晶窒化ホウ素の表面偏析の促進 Enhancement of h-BN Surface Segregation

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抄録

The synthesis of uniform hexagonal boron nitride layer was enhanced by surface segregation method using a r. f. magnetron sputtering system utilizing a helicon wave nitrogen plasma and in-situ annealing in an ultrahigh vacuum. Scanning Auger spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy analyses showed that the deposited film surface was almost covered with the h-BN layer segregated after the annealing at 800 K. The surface of h-BN layer was found to have the attractive force less than 1 nN and the good insulating property up to 3 V. These surface properties can be applied to fabricate nano scale structure and electric micro devices as an advanced substrate.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(3), 243-246, 2000-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004561601
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5360907
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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