GaAs/Al_xGa_<1-x>As超格子の反射電子像の解析 Analysis of Backscattered Electron Images of GaAs/Al_xGa_<1-x>As Superlattices

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抄録

The backscattered electron signals from GaAs/Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As superlattice structures are studied with the Monte Carlo simulation of electron scattering. The following results have been obtained. The high resolution observation of GaAs/Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As superlattice structures is achieved by detecting the low-loss backscattered electrons. The minimum detectable mean atomic number variation is 2.7 for 2 nm GaAs/2 nm Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As superlatice with the low-loss backscattered electron signal. This value agrees with the experimental result.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(3), 255-258, 2000-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004561627
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5360921
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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