高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるNiターゲットを用いた放電特性と直流バイアスによるNi薄膜の堆積速度制御効果 Discharge Characteristics and Effect of DC Bias on the Deposition Rate of Ni Thin Films Using RF-DC Coupled Magnetron Sputtering

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抄録

RF power and DC bias were simultaneously applied to a Ni target to control the incident ion energy on the target in a magnetron sputtering system equipped with Nd-Fe-B magnet assemblies. When Ni films were prepared at RF input power of 60 W and Ar partial pressure of 6.7×10<SUP>-1</SUP> Pa and DC bias voltage from -100 V to -500 V, the deposition rate linearly increased from about 9 nm/min to 70 nm/min. It was shown that the film growth coefficient (deposition rate/ion current density) of Ni films depends on the target DC bias voltage.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(3), 307-310, 2000-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004561736
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5361426
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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