有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長 Growth of Cubic GaN by Metal Organic Molecular Beam Epitaxy

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抄録

Growth of GaN on sapphire (0001) substrates by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) was studied using triethyl gallium (TEGa) and rf plasma excited active nitrogen. A series of samples were grown under various TEGa flow rates while growth temperature (800°C) and nitrogen supply were fixed. With increasing TEGa flow rate, the dominant polytype of grown layer changed from hexagonal GaN (h-GaN) to cubic GaN (c-GaN). From the dependence of growth rate on TEGa flow rates, it was revealed that a Ga-stabilized growth condition results in the growth of c-GaN. This preferential growth mode was applied to the growth of c-GaN on cubic 3C-SiC (001) substrates.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(4), 512-517, 2000-04-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004562216
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5367401
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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