シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス Temperature Gradient and Heat Balance at the Solid-liquid Interface in CZ Silicon Growth

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抄録

Heat balance and temperature gradient at solid liquid interface in CZ silicon growth is examined. Contribution of heat transfer due to mass transport and radiative heat flow to total heat balance is calculated to be about 10% of that of latent heat. Measurement problem is briefly discussed. The relation between the temperature gradient and the growth rate is quantitatively analyzed using the heat balance equation.

収録刊行物

  • 真空

    真空 43(5), 603-606, 2000-05-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  10件中 1-10件 を表示

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    DOI 被引用文献8件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004562406
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5359859
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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