拡張Hueckel法を用いた原子変位のあるグラファイト表面の電子密度分布計算

  • 萩原 哲也
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 久保 洋士
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 後藤 康仁
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 辻 博司
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 石川 順三
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Extended Hueckel Molecular Orbital Calculation of Electron Density of Graphite Surface with Atomic Displacement.
  • カクチョウ Huckelホウ オ モチイタ ゲンシ ヘンイ ノ アル グラファイト ヒョウメン ノ デンシ ミツド ブンプ ケイサン

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抄録

We calculated electron density distribution of the graphite surface with an atomic displacement, in order to analyze scanning tunneling microscope (STM) images of ion irradiated graphite surface.The calculation is based on the extended Hückel molecular orbital (EHMO) method. We found that an electronic perturbation in threefold-symmetry which was observed on the ion irradiated graphite surface is reproduced either by the displacement or by the removal of a β atom at the surface. This result shows that a bright spot of STM image does not always locate at the place where an atom exists.

収録刊行物

  • 真空

    真空 43 (5), 607-610, 2000

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献 (6)*注記

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