Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案 Propose of Reactive Sputtering using Solid Oxygen Source for Low-Temperature and High Deposition Rate Fabrication of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Film

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著者

    • 金 済徳 KIM Je-Deok
    • 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology Kanazawa University
    • 吉田 行男 [他] YOSHIDA Yukio
    • 金沢大学工学部電気電子システム工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering Facutly of Engineering Kanazawa University
    • 畑 朋延 HATA Tomonobu
    • 金沢大学工学部電気電子システム工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering Facutly of Engineering Kanazawa University

抄録

A new film deposition technique by reactive sputtering using a metal-oxide combined targe (ZrTi + PbO) was proposed and the film growth mechanism was discussed. By the technique perovskite Pb (Zr, Ti) O<SUB>3</SUB> (PZT) films could be grown at a substrate temperature as low as 450°C. Oxygen atoms for the reactive sputtering was not supplied from introduced O<SUB>2</SUB> gas but from the PbO oxide target. The oxygen flux from the PbO solid source plays an important role to crystallize the perovskite PZT films.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 43(8), 785-789, 2000-08-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  14件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004562677
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    5476082
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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