AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 - Low-noise, high-power AlGaAs laser diodes - Reduction of astigmatism using a real-refractive-index-guided-self-aligned structure -

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著者

    • 高山 徹 TAKAYAMA Toru
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
    • 今藤 修 IMAFUJI Osamu
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
    • 油利 正昭 YURI Masaaki
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
    • 吉川 昭男 YOSHIKAWA Akio
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
    • 馬場 孝明 BABA Takaaki
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
    • 伊藤 国雄 ITOH Kunio
    • 松下電子工業株式会社電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation

収録刊行物

  • 應用物理  

    應用物理 66(9), 951-955, 1997-09-10 

    応用物理学会

参考文献:  18件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004565555
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4292621
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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