アモルファスシリコンの光誘起変化 - レーザー脱離飛行時間質量分析による解析 - Quantative analysis of photo-induced effect in amorphous silicon by laser desorption time of flight mass spectroscopy

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  • 應用物理

    應用物理 66(10), 1089-1093, 1997-10-10

    応用物理学会

参考文献:  25件中 1-25件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004566002
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4313351
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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