<携帯電話の中の応用物理> 携帯電話用低雑音GaAsIC Low-noise GaAs IC for cellular telephones

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収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 67(4), 462-466, 1998-04-10

    応用物理学会

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

  • <no title>

    SAGAWA M.

    MWE92 Workshop Dig., 159-165, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    ISHIKAWA O.

    IEEE GaAs IC Sym.Tech.Dig., 131-134, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    UDA T.

    Inst.Phys.Conf.Ser. 145, 731-736, 1995

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHITSUJI M.

    IEEE GaAs IC Symp.Tech.Dig., 329-332, 1993

    被引用文献1件

  • Low-Power Technology for GaAs Front-End ICs

    NAKATSUKA Tadayoshi , ITOH Junji , TAKAHASHI Kazuaki , SAKAI Hiroyuki , TAKEMOTO Makoto , YAMAMOTO Shinji , FUZIMOTO Kazuhisa , SAGAWA Morikazu , ISHIKAWA Osamu

    IEICE transactions on electronics 78(4), 430-435, 1995-04-20

    参考文献10件 被引用文献4件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004566438
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4446338
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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