III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製 Fabrication of III V semiconductor low-dimensional structures

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著者

    • 福井 孝志 FUKUI Takashi
    • 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 原 真二郎 HARA Shinjiroh
    • 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 熊倉 一英 KUMAKURA Kazuhide
    • 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University

抄録

結晶成長技術を利用して,異なる2つの半導体材料を積み重ねた,半導体ヘテロ接合構造形成の研究の進展は,量子井戸のみならず,量子細線および量子ドット構造の形成を可能にしつつある.ここでは, GaAsを中心としたIII-V族化合物半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長技術;を利用することにより,電子(あるいは正孔)を,一次元および零次元に閉じ込めた量子細線,量子ドット構造の作製法に関して報告する.

収録刊行物

  • 應用物理  

    應用物理 67(7), 776-786, 1998-07-10 

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  90件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004566961
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4510950
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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