三端子シリコン表面接合トンネル素子 Three-terminal silicon surface junction tunneling device

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著者

    • 古賀 淳二 KOGA Junji
    • (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation
    • 鳥海 明 TORIUMI Akira
    • (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 67(7), 822-825, 1998-07-10

    応用物理学会

参考文献:  11件中 1-11件 を表示

  • <no title>

    KOGA J.

    Appl.Phys.Lett. 69, 1435, 1996

    被引用文献2件

  • <no title>

    UEMURA T.

    Jpn.J.Appl.Phys. 33, L207, 1994

    被引用文献6件

  • <no title>

    ESAKI L.

    Phys. Rev. 109, 603, 1958

    被引用文献13件

  • <no title>

    古賀淳二

    東芝レビュー 52(5), 94, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    KOGA J.

    Appl.Phys.Lett. 70, 2138, 1997

    被引用文献3件

  • <no title>

    CHYNOWETH A. G.

    Phys.Rev. 121, 684, 1961

    被引用文献2件

  • <no title>

    CHEN J.

    IEEE Electron Device Lett. 12, 453, 1991

    被引用文献2件

  • <no title>

    MAEZAWA K.

    IEEE Trans. Electron Devices 41, 148, 1994

    被引用文献16件

  • <no title>

    KOGA J.

    IEDM Tech.Digest 265, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    NAIR V.

    Ext.abst.of 3rd Intl.Workshop on Quantum Functional Devices 42, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    QUINN J. J.

    Surf. Sci. 73, 190, 1978

    DOI 被引用文献3件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004567201
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4510945
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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