Gan系半導体の自己形成量子ドット Self-assembling III-nitride quantum dots

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  • 應用物理

    應用物理 67(7), 828-829, 1998-07-10

    応用物理学会

参考文献:  9件中 1-9件 を表示

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    LEONALD D.

    Appl.Phys.Lett. 63, 3203, 1993

    被引用文献1件

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    DAUDIN B.

    Phys.Rev. B56, R7069, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    DMITRIEV V.

    Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 395, 295, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    TANAKA S.

    Appl.Phys.Lett. 69, 4096, 1996

    被引用文献12件

  • <no title>

    HIRAYAMA H.

    Appl.Phys.Lett. 72, 1736, 1998

    被引用文献5件

  • <no title>

    PONCE F. A.

    Phys.Rev. B53, 1, 1996

    被引用文献2件

  • <no title>

    TANAKA S.

    Appl.Phys.Lett. 71, 1299, 1997

    被引用文献5件

  • InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構

    川上 養一 , 成川 幸男 , 澤田 憲 , 西條 慎 , 藤田 静雄 , 藤田 茂夫 , 中村 修二

    電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用 00081(00001), 78-88, 1998-01

    参考文献30件 被引用文献1件

  • GaN量子ドットの成長機構とその光学特性

    田中 悟 , ランバル ピーター , 野村 晋太郎 , 平山 秀樹 , 青柳 克信

    電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用 00081(00001), 72-77, 1998-01

    参考文献13件 被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004567221
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    NOT
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4510958
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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